大学物理实验报告篇5

根据表一中MF51型半导体热敏电阻(2.7kΩ)之电阻~温度特性研究桥式电路，并设计各臂电阻R和的值，以确保电压输出不会溢出(本实验=1000.0Ω，=4323.0Ω)。

根据桥式，预调平衡，将“功能转换”开关旋至“电压“位置，按下G、B开关，打开实验加热装置升温，每隔2℃测1个值，并将测量数据列表(表二)。

表一MF51型半导体热敏电阻(2.7kΩ)之电阻～温度特性

温度℃253035404550556065

电阻Ω2700222518701573134111601000868748

表二非平衡电桥电压输出形式(立式)测量MF51型热敏电阻的数据

i12345678910

温度t℃10.412.414.416.418.420.422.424.426.428.4

热力学TK283.4285.4287.4289.4291.4293.4295.4297.4299.4301.4

0.0-12.5-27.0-42.5-58.4-74.8-91.6-107.8-126.4-144.4

0.0-259.2-529.9-789-1027.2-124.8-1451.9-1630.1-1815.4-1977.9

4323.04063.83793.13534.03295.83074.92871.12692.92507.62345.1

根据表二所得的数据作出～图，如右图所示。运用最小二乘法计算所得的线性方程为，即MF51型半导体热敏电阻(2.7kΩ)的电阻～温度特性的数学表达式为。